1.問題描述

某工業(yè)顯示屏在進行ESD靜電放電測試時，對網(wǎng)口、USB、串口打±6kV接觸放電，每次試驗系統(tǒng)液晶屏出現(xiàn)藍(lán)屏現(xiàn)象，系統(tǒng)死機，重新上電后可以恢復(fù)，實驗不通過。

本問題已經(jīng)歷經(jīng)半年，期間客戶公司內(nèi)部以及方案公司進行過V1.0-V1.31共4次改板，投入了大量人力物力仍未解決，時間刻不容緩。

2.故障診斷

考慮到本板歷次分別從接地、濾波、隔離等方面對單板進行了設(shè)計整改，均未改善，懷疑單板有ESD薄弱點，因此本次確定采用敏感源頭診斷和整改的方案，從源頭解決問題。

根據(jù)實驗現(xiàn)象分析，判斷為CPU功能單元受到干擾，分析核心子板（CPU模塊電路）管腳各信號，從實踐經(jīng)驗、信號功能等角度分析，判斷表1羅列的信號比較敏感，易受靜電干擾。   

表1 易受ESD干擾的敏感信號

將ESD靜電槍電壓分別調(diào)至100V、300V、600V和1000V，分別對核心子板表1所示的信號管腳做接觸放電，查找ESD敏感信號，如圖1所示。

 

圖2 接觸打IC管腳

實驗中問題沒有復(fù)現(xiàn)，因此排除這些信號產(chǎn)生的問題，試驗記錄如表2所示。

表2 ESD敏感信號驗證結(jié)果

繼續(xù)分析核心子板上敏感電路，當(dāng)對敏感信號DDR_CLK 100V接觸放電時問題復(fù)現(xiàn)，且每次放電問題都可以復(fù)現(xiàn)。

DDR_CLK布線4mil，且布線未預(yù)留焊盤，整改手段有限，為了確定靜電輻射電磁場對DDR_CLK時鐘信號有無影響，則使用1根金屬接地線，放在DDR_CLK線正上方，用靜電槍打接地線銅鼻子，如圖3所示。

 

圖3 接觸打接地線銅鼻子

按圖3所示的方法，6KV接觸放電時，5次放電問題都能復(fù)現(xiàn)，因此確認(rèn)靜電電磁場輻射對DDR_CLK信號和DDR器件有影響，此時使用銅箔將核心板區(qū)域屏蔽并接地，保護DDR敏感信號和模塊，如圖4所示。

圖4 核心板模塊屏蔽

將核心板模塊區(qū)域屏蔽后，對I/O接口進行接觸放電正負(fù)6KV、8KV、10KV，每次連續(xù)40次放電，系統(tǒng)均運行正常，問題解決，因此確定為核心板受靜電干擾導(dǎo)致整機死機。

3.原因分析

繼續(xù)驗證確定整機ESD為輻射耦合or容性耦合，經(jīng)分析，系統(tǒng)靜電放電泄放途徑為I/O接口——單板PGND——金屬襯板——金屬機箱——機箱蓋板——接地線，如圖5所示。

      

圖5 整機靜電泄放途徑

當(dāng)將機箱蓋板與金屬機箱不擰螺絲時或者機箱蓋板不蓋時，發(fā)現(xiàn)此時靜電放電無問題，因此排除輻射耦合，那么此時靜電泄放途徑為I/O接口——單板PGND——金屬襯板——金屬機箱，則相當(dāng)于核心板DDR敏感部位與機箱蓋板無靜電容性耦合（兩者距離很近），如圖6所示。

圖6 去掉后蓋整機靜電泄放途徑

綜上整機核心子板靜電耦合簡易模型如圖7所示。

 

圖7 核心子板靜電耦合模

診斷時核心子板加屏蔽罩后此時靜電耦合模型如圖8所示。 

圖8 核心子板靜電耦合模型

從圖8可以看出，核心子板加屏蔽罩后，機箱后蓋板靜電能量直接耦合到金屬屏罩并通過屏蔽罩接地引腳到GND，從而避免ESD直接耦合到敏感的DDR模塊，問題得以解決。因此根據(jù)以上分析，為機箱后蓋板靜電干擾容性耦合至DDR模塊電路導(dǎo)致ESD問題。

4.整改措施

因核心子板是客戶公司平臺化產(chǎn)品，模塊上DDR電路又及其敏感，推薦主板采用屏蔽罩屏蔽敏感核心子板模塊的方案量產(chǎn)，本方案簡單易行，成本增加不到0.5元，效果可靠。最后經(jīng)與客戶溝通，目前主板上空間充足，本方案可生產(chǎn)，屏蔽罩如圖9所示。

圖9 核心板屏蔽罩

5.實踐效果

改板后再次進行靜電試驗，此后系統(tǒng)死機問題再未復(fù)現(xiàn)，試驗通過。

【總結(jié)】

ESD實驗時，工程師經(jīng)常碰到打一槍就死，整改來整改去沒用，即便做了無數(shù)次PCB改板，也徒勞無功，搞得懷疑人生，自嘲下此刻想死的心都有了！何故？因為電路中有對ESD極其敏感的薄弱點，不攻要害，何來征服！本案例產(chǎn)品ESD問題，經(jīng)過縝密的診斷和分析確定出了敏感源和耦合途徑，然后通過對敏感源屏蔽成功化解。本文的整改方法和思路啟示我們，打蛇打七寸，擒賊要擒王，不出手則已，出手則要狠招絕招，首戰(zhàn)即決戰(zhàn)，一戰(zhàn)定乾坤。

推薦型號：

靜電放電模擬器

SESD 216（電壓范圍：200V~16.5kV）

SESD 230（電壓范圍：500V~30kV）

SESD 30000（電壓范圍：1kV~30kV）

ESD - Test System 30 kV